MEMS光開(kāi)關(guān)核心技術(shù)解析：靜電驅動(dòng)四大結構及應用優(yōu)勢-廣西科毅光通信

5G 時(shí)代下 MEMS 光開(kāi)關(guān)中靜電驅動(dòng)四大結構（懸臂梁、扭臂、梳狀、SDA）的詳解及廣西科毅光通信產(chǎn)品應用對比

MEMS光開(kāi)關(guān)建模與仿真技術(shù)：精準優(yōu)化光開(kāi)關(guān)性能的核心手段

MEMS光開(kāi)關(guān)核心解析：原理、結構類(lèi)型與光通信應用優(yōu)勢

全內反射型光波導開(kāi)關(guān)應用案例與行業(yè)趨勢

全內反射型光波導開(kāi)關(guān)結構設計與制備工藝

MEMS光開(kāi)關(guān)陣列：數據中心光通信的革命性解決方案

MEMS光開(kāi)關(guān)陣列的設計與應用

MEMS 可調光衰減器的波長(cháng)相關(guān)損耗優(yōu)化

MEMS（微機電系統）可調光衰減器中的波長(cháng)相關(guān)損耗（WDL）優(yōu)化是一個(gè)重要的技術(shù)挑戰。

磁光開(kāi)關(guān)工作原理和設計方法

文章介紹了磁光開(kāi)關(guān)的性能，探討了磁光開(kāi)關(guān)的未來(lái)競爭力和發(fā)展前景；介紹了設計磁光開(kāi)關(guān)的三種方法以及具體的電路磁路設計，并對其設計方案進(jìn)行了綜合的測試。結果表明，磁光開(kāi)關(guān)不僅具有開(kāi)關(guān)速度快、穩定性高等優(yōu)勢，而且相對于其他非機械式光開(kāi)關(guān)，它又具有驅動(dòng)電壓低、串擾小等優(yōu)勢。磁光開(kāi)關(guān)將成為一種極具競爭力的光開(kāi)關(guān)。

新型光開(kāi)關(guān)技術(shù)與行業(yè)趨勢：熱光、全息光柵及液體光柵開(kāi)關(guān)應用

主流光開(kāi)關(guān)技術(shù)對比：MEMS、噴墨氣泡與液晶光開(kāi)關(guān)詳解

光開(kāi)關(guān)核心性能參數解析：如何判斷光開(kāi)關(guān)質(zhì)量?jì)?yōu)劣？

科毅光通信：新一代無(wú)阻塞MEMS光開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與行業(yè)應用

該光開(kāi)關(guān)包括:N到N的無(wú)阻塞交換矩陣，所述無(wú)阻塞交換矩陣包括NMM個(gè)節點(diǎn),每個(gè)節點(diǎn)包括用于進(jìn)行二進(jìn)二出的光路交換的四個(gè)數字光開(kāi)關(guān)單元,每個(gè)數字光開(kāi)關(guān)單元具有兩種狀態(tài):所述無(wú)阻塞交換矩陣的NMM個(gè)節點(diǎn)中包括N個(gè)輸入端和N個(gè)輸出端;所述無(wú)阻塞交換矩陣,用于從N個(gè)輸入端接收N個(gè)輸入光纖輸入的個(gè)輸入光信號:經(jīng)過(guò)預先設定的M級節點(diǎn)的路由,將N個(gè)輸入光信號交換到N個(gè)輸出端上;從N個(gè)輸出端將經(jīng)過(guò)無(wú)阻塞交換矩陣交換后得到的N個(gè)輸出光信號耦合到N個(gè)輸出光纖上。本發(fā)明光開(kāi)關(guān)易于實(shí)現對節點(diǎn)的控制,適合大規模應用。

光耦開(kāi)關(guān)應用電路設計指南：參數選型、壽命評估與實(shí)操方案

光分路器核心技術(shù)解析與應用場(chǎng)景全攻略——廣西科毅光通信專(zhuān)業(yè)解決方案

光分路器基本常識介紹，包括分光原理、常用技術(shù)指標（插入損耗、附加損耗、分光比、隔離度等）及穩定性；用全波段測試法優(yōu)化光器件性能，包括不同光器件在全波段下的測試需求及折衷測試方案；PLC 分路器相關(guān)技術(shù)，包括制作、優(yōu)缺點(diǎn)及封裝技術(shù)。

光開(kāi)關(guān)，先開(kāi)關(guān)的分類(lèi)及光開(kāi)關(guān)的工作原理

光開(kāi)關(guān)行業(yè)痛點(diǎn)解析：防竄光技術(shù)如何破解汽車(chē)電子開(kāi)關(guān)誤判難題

高速磁光開(kāi)關(guān)技術(shù)解析：科毅光通信如何突破傳統光開(kāi)關(guān)痛點(diǎn)？

光開(kāi)關(guān)在極端溫度環(huán)境下的穩定性如何？

極端溫度環(huán)境會(huì )導致傳統光開(kāi)關(guān)膠層收縮/膨脹，引發(fā)插入損耗漂移?？埔阃ㄟ^(guò)鈦合金封裝殼體（CTE=8.6ppm/℃）與石英基片（CTE=0.5ppm/℃）的梯度匹配設計，結合金屬化鍵合工藝，實(shí)現-55~125℃寬溫工作。實(shí)測數據顯示，產(chǎn)品在100次溫度循環(huán)（-55℃↔125℃）后，插入損耗變化≤0.25dB，回波損耗≥50dB。該技術(shù)已用于南極昆侖站光通信系統，在-80℃低溫與90%濕度環(huán)境下，連續工作12個(gè)月無(wú)故障，較傳統設備故障率降低90%，驗證了在極端氣候條件下的可靠性?xún)?yōu)勢。

無(wú)膠光路技術(shù)：光開(kāi)關(guān)偏振相關(guān)損耗控制的突破與OCT應用

無(wú)膠光路技術(shù)通過(guò)光路無(wú)膠設計實(shí)現光開(kāi)關(guān)的低偏振相關(guān)損耗（PDL），其 PDL 值可低至 ≤0.05 dB，同時(shí)具備低插入損耗、高穩定性和可靠性等優(yōu)勢。該技術(shù)在光學(xué)相干斷層掃描（OCT）系統中具有重要應用價(jià)值，OCT 作為非侵入性生物醫學(xué)成像技術(shù)，軸向分辨率通?？蛇_ 1 μm 至 10 μm，受光源波長(cháng)和系統光學(xué)設計影響。無(wú)膠光路光開(kāi)關(guān)可廣泛應用于城域網(wǎng)、實(shí)驗室研發(fā)、監控系統及動(dòng)態(tài)配置分發(fā)復用等領(lǐng)域，為高精度光學(xué)系統提供關(guān)鍵組件支持。

微型光開(kāi)關(guān)的芯片級集成（SiP）技術(shù)挑戰與突破路徑——兼論廣西科毅的創(chuàng )新實(shí)踐

SiP集成光開(kāi)關(guān)面臨熱串擾問(wèn)題，科毅采用微流道散熱與SOI襯底隔離，熱串擾<0.5℃，已用于800G光模塊測試系統。