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MEMS電控可調光衰減器:光纖網(wǎng)絡(luò )高效功率調節核心器件

2025-11-20

MEMS電控可調光衰減器-廣西科毅光通信


在光纖通信技術(shù)飛速發(fā)展的今天,構建以光纖和光器件為核心的高效光纖網(wǎng)絡(luò ),已成為提升通信性能、降低運營(yíng)成本的關(guān)鍵方向。而光功率不均衡、跨段損耗差異等問(wèn)題,極易導致信號誤碼,影響網(wǎng)絡(luò )穩定性。廣西科毅光通信作為專(zhuān)業(yè)的光通信器件生產(chǎn)銷(xiāo)售商,深耕光開(kāi)關(guān)、光衰減器等核心產(chǎn)品研發(fā)與供應,旗下MEMS電控可調光衰減器憑借卓越性能,成為DWDM系統、光交換系統等場(chǎng)景的理想解決方案。


一、光纖網(wǎng)絡(luò )的功率調節需求與傳統方案局限

隨著(zhù)DWDM(密集波分復用)+EDFA(摻餌光纖放大器)系統、ASON(光交換系統)的廣泛應用,光纖網(wǎng)絡(luò )對動(dòng)態(tài)功率調節的需求日益迫切。在DWDM系統中,當部分輸入通道關(guān)閉時(shí),剩余通道的輸出功率會(huì )在毫秒級內激增,若未及時(shí)調節,將嚴重影響信號傳輸質(zhì)量。

傳統機械式可變衰減器雖具備較好的光學(xué)參數,但存在體積大、價(jià)格高昂、響應速度慢等短板,無(wú)法滿(mǎn)足動(dòng)態(tài)網(wǎng)絡(luò )的實(shí)時(shí)調節需求。而MEMS(微電子機械系統)技術(shù)的出現,徹底改變了這一現狀,MEMS電控可調光衰減器憑借響應時(shí)間短、集成化程度高、成本可控等優(yōu)勢,成為當前光纖網(wǎng)絡(luò )光功率調節的核心選擇。


二、MEMS電控可調光衰減器的核心優(yōu)勢

相較于傳統衰減器,MEMS電控可調光衰減器的優(yōu)勢十分顯著(zhù):

1.      響應速度快:響應時(shí)間可縮短至30μs以?xún)?,能快速應對光功率的?dòng)態(tài)波動(dòng),適配高速光纖網(wǎng)絡(luò )需求。

2.      成本優(yōu)勢明顯:采用微電子工藝批量生產(chǎn),一張4英寸硅片可制作1000個(gè)芯片,配合成熟封裝工藝,大幅降低單位產(chǎn)品成本。

3.      集成化與小型化:芯片尺寸僅為微米級,反射膜尺寸僅300μm,體積遠小于傳統器件,更利于系統集成。

4.      可靠性強:通過(guò)MEMS技術(shù)精準加工,光學(xué)性能穩定,能適應復雜網(wǎng)絡(luò )環(huán)境的長(cháng)期運行。



三、F-P腔式MEMS光衰減器技術(shù)解析

廣西科毅光通信聯(lián)合專(zhuān)業(yè)科研機構開(kāi)發(fā)的F-P腔式MEMS電控可調光衰減器,是當前技術(shù)成熟、實(shí)用性極強的主流方案,其核心技術(shù)細節如下:


(一)結構與工作原理

F-P腔式MEMS光衰減器的核心結構由上下反射鏡、彈性膜、金屬電極、硅襯底等關(guān)鍵部件組成,具體結構如圖1所示。

 F-P腔式MEMS光衰減器的結構示意圖

圖1 F-P腔式MEMS光衰減器的結構示意圖


其工作原理基于F-P腔的光學(xué)反射特性:

1.      上反射鏡采用1/4光學(xué)厚度的可移動(dòng)彈性膜(材料可選氮化硅、二氧化硅等),兼具反射與彈性功能;下反射鏡可通過(guò)鍍多層增反膜、布拉格反射鏡(DBR)或硅基底拋光實(shí)現。

2.      上下電極施加電壓時(shí),彈性膜在電場(chǎng)作用下移動(dòng),改變F-P腔的腔長(cháng),進(jìn)而調整兩反射鏡反射光的相位差。

3.      根據F-P腔反射率公式,相位差的變化會(huì )直接改變衰減器的反射率,最終實(shí)現光衰減量的精準調節。


(二)加工與封裝工藝

該衰減器的生產(chǎn)采用高精度MEMS加工工藝與封裝技術(shù),確保產(chǎn)品性能穩定:

1.      芯片加工流程:包括襯底制備、二氧化硅膜生長(cháng)、光刻刻蝕、犧牲層制備、氮化硅薄膜淀積、電極圖形光刻與濺射等核心步驟(原資料圖3展示了芯片加工工藝與材料細節)。

2.      產(chǎn)品封裝:采用光纖準直器將單模光纖模場(chǎng)擴束至300μm,經(jīng)芯片反射后通過(guò)準直器輸出至另一根光纖;光路通過(guò)高精度調節架對準,搭配激光焊接或全膠封裝工藝,保障光學(xué)性能與機械穩定性。

產(chǎn)品封裝原理圖 

圖2 產(chǎn)品封裝原理圖


(三)核心性能指標

經(jīng)權威測試(依據國家標準GB12512-90),該F-P腔式MEMS光衰減器的核心性能指標如下:

3.      工作波長(cháng):1270~1610nm(覆蓋光纖通信主流波段)

4.      動(dòng)態(tài)范圍:大于16dB(滿(mǎn)足多數網(wǎng)絡(luò )功率調節需求)

5.      響應時(shí)間:小于30μs(快速應對功率波動(dòng))

6.      分辨率:小于1dB(精準調節光功率)

四、核心應用場(chǎng)景

MEMS電控可調光衰減器的適配性極強,尤其適用于以下場(chǎng)景:

1.      DWDM+EDFA系統:均衡各輸出通道功率,避免單通道功率激增導致的信號失真。

2.      ASON光交換系統:動(dòng)態(tài)適配傳輸通路變化,保障光信號穩定傳輸。

3.      長(cháng)途光纖通信鏈路:補償跨段損耗差異,優(yōu)化光功率分配。

4.      數據中心光互聯(lián):滿(mǎn)足高密度、高速度的光功率調節需求。

五、廣西科毅光通信的產(chǎn)品優(yōu)勢與服務(wù)

廣西科毅光通信專(zhuān)注光通信器件研發(fā)與銷(xiāo)售,依托成熟的MEMS技術(shù)工藝,為客戶(hù)提供高品質(zhì)MEMS電控可調光衰減器、光開(kāi)關(guān)等核心產(chǎn)品。我們的產(chǎn)品不僅具備上述技術(shù)優(yōu)勢,還可根據客戶(hù)需求提供定制化解決方案,從產(chǎn)品選型到技術(shù)支持,全程保障合作體驗。


 

 

擇合適的光開(kāi)關(guān)是一項需要綜合考量技術(shù)、性能、成本和供應商實(shí)力的工作。希望本指南能為您提供清晰的思路。我們建議您在明確自身需求后,詳細對比關(guān)鍵參數,并優(yōu)先選擇像科毅光通信這樣技術(shù)扎實(shí)、質(zhì)量可靠、服務(wù)專(zhuān)業(yè)的合作伙伴。

 

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