光通信領(lǐng)域的無(wú)膠革命

通信設備的隱形殺手——膠體老化，正成為制約光通信系統可靠性的關(guān)鍵瓶頸。傳統膠合工藝在高溫高濕環(huán)境下表現出顯著(zhù)的性能衰減，如無(wú)源器件在 GR-1221 標準推薦的雙 85（85℃/85%RH）可靠性測試 2000 小時(shí)后，消光比可能下降 30%，環(huán)氧樹(shù)脂膠層易出現老化開(kāi)裂，導致 PDL 波動(dòng)＞0.3dB，每年損耗漂移達 0.2dB 。這種膠體降解效應在東南亞高溫高濕地區及數據中心等核心場(chǎng)景尤為突出，嚴重威脅光網(wǎng)絡(luò )的長(cháng)期穩定運行。

在此背景下，光路無(wú)膠技術(shù)應運而生，通過(guò)金屬化鍵合等創(chuàng )新工藝消除膠層應力，從根本上解決傳統工藝的可靠性痛點(diǎn)。以廣西科毅光通信的 OSW-1×1 光開(kāi)關(guān)為例，其在 28x12.6x11mm 纖小封裝中實(shí)現切換 10? 次后插入損耗仍≤0.7dB 的高耐用性，保偏系列器件更是成為光纖陀螺儀、量子通信系統的核心組件。該技術(shù)已在“東數西算”工程貴州數據中心集群的 128×128 光開(kāi)關(guān)陣列中成功應用，在沙漠數據中心極端環(huán)境下可實(shí)現 10ms 內光路保護倒換，為 AI 算力網(wǎng)絡(luò )與 6G 通信構建起高可靠的光傳輸基礎設施 。

技術(shù)突破點(diǎn)：無(wú)膠工藝通過(guò)分子級鍵合替代環(huán)氧樹(shù)脂黏合，消除了傳統工藝中膠體老化導致的三大核心問(wèn)題：

1. 應力殘留：避免膠層固化應力導致的光學(xué)元件位置偏移

2. 環(huán)境敏感：在-5~+70℃寬溫域及雙 85 環(huán)境下保持性能穩定

3. 壽命衰減：將器件MTBF（平均無(wú)故障時(shí)間）提升至 10? 次切換級別

中國-東盟數字經(jīng)濟合作的深化為該技術(shù)提供了廣闊應用場(chǎng)景。廣西作為面向東盟的門(mén)戶(hù)樞紐，2023 年光纜線(xiàn)路總長(cháng)度達 268.9 萬(wàn)公里，科毅光開(kāi)關(guān)憑借 0.65-0.99dB 的低插入損耗指標，已在中越邊境光纜干線(xiàn)項目中解決高溫高濕環(huán)境下的設備穩定性難題，推動(dòng)光通信產(chǎn)業(yè)向更高可靠性標準邁進(jìn)。

無(wú)膠光路技術(shù)的核心原理與科學(xué)基礎

無(wú)膠光路技術(shù)的突破建立在分子間作用力調控、光場(chǎng)約束優(yōu)化及熱力學(xué)穩定性控制三大科學(xué)基礎之上，通過(guò)材料科學(xué)與光子學(xué)的深度融合，實(shí)現了光學(xué)元件間的無(wú)粘合劑鍵合與高效光信號傳輸。

分子間作用力的微觀(guān)調控

無(wú)膠鍵合的本質(zhì)在于通過(guò)表面微觀(guān)形貌控制實(shí)現分子間作用力的主導地位。當玻璃表面粗糙度降至 Ra≤0.5 nm 時(shí)，分子間的范德華力與氫鍵等短程作用力可突破表面能壁壘，形成穩定的原子級接觸界面。谷東科技的玻璃表面分子鍵合案例表明，這種超光滑表面處理能使分子引力貢獻超過(guò)鍵合強度的 85%，其作用機制類(lèi)似于浙江大學(xué)團隊在MEMS光開(kāi)關(guān)中利用的范德華力粘連效應，后者通過(guò)分裂波導交叉結構（SWX）實(shí)現了非易失性光信號控制。原子力顯微鏡下的鍵合界面圖像顯示，經(jīng)等離子體活化與化學(xué)機械拋光（CMP）處理后，界面處的原子擴散層厚度可控制在 2 nm 以?xún)?，驗證了分子級鍵合的實(shí)現。

光場(chǎng)約束與模式匹配

光場(chǎng)在無(wú)膠光路中的高效傳輸依賴(lài)于波導材料的低損耗特性與模式匹配設計。氮化硅（Si?N?）波導憑借其 0.1 dB/m 的超低傳輸損耗，成為傳統 SiO? 波導（損耗約 0.5 dB/m）的理想替代材料，這一特性在北京大學(xué)團隊制備的集成頻率梳微環(huán)腔中得到驗證，其真空壓縮頻率超模實(shí)現了多比特糾纏簇態(tài)的可重構調控。QuEra 計算公司的研究進(jìn)一步表明，氮化硅在藍光至紅外光波段的高透明性，使其能夠支持寬光譜光信號的低損耗傳輸。通過(guò)波導截面尺寸與折射率分布的精確設計，可實(shí)現光場(chǎng)模式的高效耦合，如激光焊接工藝鍵合的光纖陣列，其模式場(chǎng)直徑偏差可控制在 0.5 μm 以?xún)?，確保光功率傳輸效率超過(guò) 98%。

無(wú)膠工藝的熱力學(xué)穩定性

無(wú)膠鍵合結構的長(cháng)期可靠性取決于材料熱力學(xué)性能的協(xié)同優(yōu)化?？埔愎镜膶挏販y試數據顯示，其無(wú)膠光路組件在 -40℃85℃ 溫度范圍內的插入損耗漂移量小于 0.3 dB，這得益于晶體生長(cháng)工藝將熱膨脹系數控制在 3.5×10??/℃ 以下。類(lèi)似地，科毅采用的表面聲波（SAW）驅動(dòng)技術(shù)通過(guò)動(dòng)態(tài)折射率光柵調制光束，從根本上避免了熱光效應導致的性能漂移，在 -5+70℃ 工作溫度范圍內保持 13 ns/10 ns 的導通/斷開(kāi)響應時(shí)間。這種熱力學(xué)穩定性使得無(wú)膠光路技術(shù)能夠滿(mǎn)足光纖激光焊接、高功率光傳輸等嚴苛應用場(chǎng)景的需求，其長(cháng)期可靠性較傳統膠黏劑鍵合提升了 3 個(gè)數量級。

技術(shù)優(yōu)勢總結：無(wú)膠光路技術(shù)通過(guò)分子級鍵合消除界面散射、氮化硅波導降低傳輸損耗、熱力學(xué)優(yōu)化提升環(huán)境穩定性，三大核心機制共同支撐了其在光通信、量子計算等領(lǐng)域的應用突破。與傳統膠黏劑鍵合相比，該技術(shù)在光功率容量（提升 10 倍以上）、長(cháng)期可靠性（壽命延長(cháng)至 25 年）和極端環(huán)境適應性方面展現出顯著(zhù)優(yōu)勢。

微觀(guān)實(shí)現的四大核心工藝步驟

無(wú)膠光路技術(shù)的微觀(guān)實(shí)現依賴(lài)于四大核心工藝步驟的精密協(xié)同，通過(guò)材料創(chuàng )新與超精密控制技術(shù)，實(shí)現傳統光路中膠黏劑的替代與系統性能的躍升。

以下從工藝流程角度詳細解析科毅技術(shù)的關(guān)鍵實(shí)現路徑：

超精密光刻：冰層圖案化替代傳統光刻膠

作為工藝流程的首要環(huán)節，超精密光刻采用西湖大學(xué)研發(fā)的冰刻 2.0 技術(shù)，在光纖端面直接制作 300 nm 冰層圖案，徹底替代傳統光刻膠工藝17。這項微納加工工藝利用電子束作為"刻刀"，在薄至 300 納米的冰膜上實(shí)現微納米級結構加工，最小可制作直徑僅 1.4 微米的微型雪花圖案，已在科毅光通信的量子通信光開(kāi)關(guān)量產(chǎn)線(xiàn)中實(shí)現規?；瘧?7。與傳統光刻相比，冰刻技術(shù)具有無(wú)殘留、高分辨率的顯著(zhù)優(yōu)勢：冰作為臨時(shí)犧牲層，可通過(guò)升華直接去除，避免光刻膠殘留對光路的散射損耗；同時(shí)電子束直寫(xiě)精度達納米級，為后續波導結構的精準成型奠定基礎?？埔慵夹g(shù)通過(guò)該工藝在光纖端面形成高精度對準標記，配合深南電路類(lèi)似的自對準設計理念，可將光纖與波導的耦合損耗控制在 0.1 dB 以?xún)取?/span>

深層刻蝕：六軸微動(dòng)平臺實(shí)現亞微米級側壁控制

完成冰層圖案化后，需通過(guò)深層刻蝕工藝構建光信號傳輸的波導通道?？埔慵夹g(shù)采用六軸微動(dòng)平臺實(shí)現刻蝕過(guò)程的納米級定位，其核心指標是將波導側壁粗糙度控制在0.1 μm 級別。這一精度水平顯著(zhù)優(yōu)于深南電路機械研磨工藝的 20 nm 端面粗糙度指標，可有效降低波導側壁的光散射損耗?？涛g過(guò)程中，通過(guò) EGV 610 半自動(dòng)光掩模對準系統進(jìn)行光學(xué)圖案化，確保波導陣列與光纖陣列的精準匹配18。值得注意的是，科毅在 MEMS光開(kāi)關(guān)中引入的亞波長(cháng)齒結構，正是通過(guò)該刻蝕工藝實(shí)現，這種特殊結構可有效抑制微鏡黏連問(wèn)題，與刻蝕精度共同保障了器件≥10^7 次的超長(cháng)切換壽命。

低溫鍵合：200℃以下分子鍵合保障材料性能

無(wú)膠光路的核心突破點(diǎn)在于采用低溫分子鍵合工藝，在 200℃以下實(shí)現波導結構的永久性連接。傳統高溫鍵合會(huì )導致硅基材料產(chǎn)生熱應力，影響光傳輸性能，而科毅開(kāi)發(fā)的低溫工藝通過(guò)范德華力或氫鍵作用，使待鍵合表面在原子級潔凈條件下緊密接觸并形成共價(jià)鍵結合。這種工藝不僅避免了高溫對材料光學(xué)特性的破壞，還能兼容不同熱膨脹系數的異質(zhì)材料鍵合，如賓夕法尼亞大學(xué)在硅層與 InGaAsP 層對齊中實(shí)現的納米級精度控制。鍵合強度測試顯示，該工藝形成的界面剪切強度超過(guò) 20 MPa，可滿(mǎn)足 Telcordia可靠性標準中的熱沖擊循環(huán)要求。

軍工級封裝：TO 結構與鋁合金外殼實(shí)現高效散熱

最后環(huán)節的封裝工藝直接決定器件的環(huán)境適應性與長(cháng)期可靠性?？埔悴捎?strong>TO 封裝結構配合 6063 - T5 鋁合金外殼，構建軍工級防護體系：TO 管座提供光學(xué)通路與電氣連接的密封隔離，而 6063 - T5 鋁合金外殼的導熱系數高達201 W/(m·K)，可快速導出器件工作時(shí)產(chǎn)生的熱量，確保在 - 20~ + 70℃寬溫范圍內穩定工作。通過(guò)精密機械定位技術(shù)，科毅將 COC - OSW - 1×2T 型號的封裝體積壓縮至 27×12.5×8.5 mm，同時(shí)保持每個(gè)耦合接口的額外損耗僅 0.13 dB1821。封裝過(guò)程中，12 通道光陣列光纖的端面經(jīng)機械研磨處理，均方根粗糙度達 20 nm，進(jìn)一步降低光纖 - 波導耦合損耗。

核心工藝參數匯總

• 光刻精度：300 nm 冰層圖案分辨率，最小特征尺寸 1.4 μm

• 刻蝕質(zhì)量：波導側壁粗糙度 0.1 μm，通道均勻性誤差 < 0.5%

• 鍵合性能：200℃以下實(shí)現分子鍵合，界面剪切強度 > 20 MPa

• 封裝指標：TO 結構 + 6063 - T5 鋁合金外殼，導熱系數 201 W/(m·K)

該流程圖清晰展示了從超精密光刻、深層刻蝕、低溫鍵合到軍工級封裝的完整工藝鏈條，每個(gè)環(huán)節均標注關(guān)鍵控制參數：冰刻圖案的 300 nm 線(xiàn)寬、刻蝕深度的 0.1 μm 精度、鍵合溫度曲線(xiàn)以及封裝外殼的熱阻參數，直觀(guān)呈現無(wú)膠光路技術(shù)如何通過(guò)工藝創(chuàng )新實(shí)現傳統膠黏劑的功能替代。

材料選擇：從原子級匹配到宏觀(guān)性能

無(wú)膠光路技術(shù)的材料體系需在原子級界面匹配與宏觀(guān)環(huán)境適應性間建立平衡。傳統膠合材料采用環(huán)氧樹(shù)脂等有機膠黏劑（Tg=40~150℃），受環(huán)境變化影響易出現老化開(kāi)裂，其在1550nm透光率僅85%，硬度HV=20，無(wú)法滿(mǎn)足高精度光學(xué)系統的長(cháng)期穩定性需求。與之對比，無(wú)膠材料體系通過(guò)分子鍵合、晶體生長(cháng)等工藝實(shí)現界面融合，典型代表如石英（透光率＞95%@1550nm）、單晶硅（硬度HV=1150）及氮化硅（Si?N?）等。其中氮化硅波導展現出0.1dB/m的超低傳輸損耗和≥55dB的回波損耗，在1550nm波長(cháng)下插入損耗較傳統二氧化硅材料降低67%，且在85℃/85%RH環(huán)境下2000小時(shí)性能衰減＜0.2dB，成為多波段光傳輸的核心載體。

科毅光通信通過(guò)石英+氮化硅復合結構構建應力自補償體系，結合微鏡表面50nm厚Al?O?納米陶瓷涂層，既保持光學(xué)性能不受影響，又將元件壽命提升3倍以上，同時(shí)其1x8光開(kāi)關(guān)波長(cháng)覆蓋500～1650nm，插入損耗≤1.0dB，實(shí)現材料性能與工程指標的協(xié)同優(yōu)化 。這種材料設計思路突破了傳統膠合工藝的物理局限，通過(guò)原子級界面調控（如亞波長(cháng)結構集成、納米涂層改性）與宏觀(guān)性能增強（如寬溫域穩定性、抗腐蝕特性）的深度耦合，為無(wú)膠光路技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應用奠定基礎。

材料性能矩陣核心差異

• 光學(xué)透過(guò)率：石英（95%）較環(huán)氧樹(shù)脂（85%）提升11.8%

• 機械強度：?jiǎn)尉Ч栌捕龋℉V=1150）為膠體材料的57.5倍

• 環(huán)境穩定性：氮化硅在濕熱環(huán)境下衰減量?jì)H為傳統材料的1/5

傳統膠合工藝的痛點(diǎn)與無(wú)膠技術(shù)的代際優(yōu)勢

以"可靠性漏斗模型"為框架，無(wú)膠光路技術(shù)通過(guò)光學(xué)性能、機械可靠性與長(cháng)期穩定性三個(gè)維度實(shí)現對傳統膠合工藝的代際突破。在光學(xué)性能方面，傳統膠合工藝受膠體熱膨脹系數差異影響，波長(cháng)相關(guān)損耗達0.3dB，消光比通常僅40dB；而科毅采用的光路無(wú)膠工藝通過(guò)金屬化鍵合實(shí)現剛性連接，將波長(cháng)相關(guān)損耗降至0.15dB，消光比提升至≥55dB，部分保偏光開(kāi)關(guān)型號更達60dB 。機械可靠性測試顯示，傳統膠合光開(kāi)關(guān)在10?次切換后即出現膠層開(kāi)裂，科毅無(wú)膠工藝產(chǎn)品則實(shí)現10?次切換無(wú)故障，MEMS光開(kāi)關(guān)壽命更可達101?次切換 。長(cháng)期穩定性方面，-40℃~85℃寬溫循環(huán)測試表明，無(wú)膠工藝插損波動(dòng)≤±0.3dB，徹底解決傳統膠體老化導致的每年0.2dB損耗漂移問(wèn)題。

核心差異對比

• 光學(xué)性能：無(wú)膠工藝消光比≥55dB（傳統膠合40dB），波長(cháng)相關(guān)損耗降低50%

• 機械壽命：無(wú)膠技術(shù)切換次數提升2個(gè)數量級（10?次 vs 10?次）

• 環(huán)境適應：-40℃~85℃極端條件下，無(wú)膠工藝插損波動(dòng)≤±0.3dB

傳統膠合工藝的固有缺陷源于膠體材料特性：環(huán)氧樹(shù)脂膠層固化收縮易產(chǎn)生應力殘留，導致PDL波動(dòng)＞0.3dB，且受溫度濕度影響易出現光路偏移。無(wú)膠技術(shù)通過(guò)分子鍵合、激光焊接等工藝替代膠體連接，不僅消除膠層老化風(fēng)險，還使1×16機架式光開(kāi)關(guān)PDL低至0.05dB，在航天項目中實(shí)現消光比波動(dòng)從±3dB降至±0.5dB 。這種技術(shù)革新為高速光通信系統提供了更穩定的光路基礎，尤其適用于需要長(cháng)期可靠運行的核心網(wǎng)絡(luò )設備。

專(zhuān)利技術(shù)：科毅的微觀(guān)創(chuàng )新密碼

廣西科毅光通信通過(guò)三項核心專(zhuān)利技術(shù)構建了無(wú)膠光路的微觀(guān)實(shí)現體系，其技術(shù)細節體現在材料科學(xué)與微納制造的交叉創(chuàng )新中。光路無(wú)膠工藝采用金屬化鍵合替代傳統光學(xué)膠黏合，消除膠層應力導致的性能漂移，使消光比年衰減控制在≤0.1 dB，較傳統方案提升穩定性30%23。偏振旋光晶體設計選用TGG晶體（Verdet常數0.23 rad/(T·m)），通過(guò)構建補償光路抵消溫度雙折射效應，磁光性能較常規材料提升17倍，相關(guān)技術(shù)已應用于固態(tài)光程倍增光纖延遲線(xiàn)裝置。

在微機電系統領(lǐng)域，科毅的MEMS光開(kāi)關(guān)微鏡亞波長(cháng)齒結構通過(guò)靜電驅動(dòng)雙軸設計（X軸±4.5°/Y軸±2.5°偏轉）與機械限位器結合，解決微鏡黏連問(wèn)題，將切換壽命提升至10?次。其8英寸MEMS工藝生產(chǎn)的光開(kāi)關(guān)產(chǎn)品插入損耗低至0.5 dB，支持量子通信、航天設備等高端場(chǎng)景需求。

核心專(zhuān)利技術(shù)指標對比

• 光路無(wú)膠：年衰減≤0.1 dB（傳統膠黏方案3-5 dB/年）

• 微鏡壽命：10?次切換（行業(yè)平均10?次）

• 晶體性能：0.23 rad/(T·m) Verdet常數（提升17倍磁光效率）

科毅形成機械式與MEMS光開(kāi)關(guān)雙重技術(shù)路線(xiàn)，其中MEMS-OCS系列采用Benes拓撲結構，結合PIN導針亞微米定位技術(shù)（端面間隙≤0.5 μm），實(shí)現-20~+70℃寬溫工作環(huán)境下的低損耗傳輸，相關(guān)專(zhuān)利技術(shù)（如CN220188754U）已填補國內無(wú)熱光開(kāi)關(guān)技術(shù)空白 。

應用場(chǎng)景：從量子比特到沙漠數據中心

科毅無(wú)膠光路技術(shù)憑借其獨特的微觀(guān)實(shí)現優(yōu)勢，在精度-環(huán)境-規模三維度展現出差異化應用價(jià)值。在量子通信應用領(lǐng)域，其超低損耗光開(kāi)關(guān)（IL≤0.65dB）支持單光子態(tài)傳輸，配合保偏磁光開(kāi)關(guān)保障量子密鑰分發(fā)（QKD）網(wǎng)絡(luò )的極化穩定性，成為量子比特處理流程中連接單量子比特門(mén)、雙量子比特門(mén)與貝爾態(tài)測量（BSM）模塊的關(guān)鍵節點(diǎn)。

在極端環(huán)境場(chǎng)景中，該技術(shù)表現出卓越的環(huán)境適應性。沙漠基站部署的光開(kāi)關(guān)經(jīng)過(guò)500次溫度循環(huán)（-40℃~85℃）后插損波動(dòng)≤±0.3dB，而磁光開(kāi)關(guān)的寬溫工作特性（-40℃~85℃）使其在西部荒漠數據中心穩定運行，解決了傳統設備在晝夜溫差劇變下的可靠性難題 。

高密度互聯(lián)領(lǐng)域，4×64 MEMS矩陣光開(kāi)關(guān)支持32Tbps帶寬，適配80波×400G波分復用系統，已在內蒙古超算中心實(shí)現95%資源利用率，年省光纖成本200萬(wàn)元。其毫秒級重構能力滿(mǎn)足AI訓練集群中分布式計算的動(dòng)態(tài)路由需求，成為光交叉連接（OXC）與可重構光分插復用器（ROADM）的核心組件 。

技術(shù)突破點(diǎn)：通過(guò)無(wú)膠鍵合工藝消除界面散射損耗，使光開(kāi)關(guān)在量子態(tài)保真度（>99%）、極端環(huán)境穩定性（±0.1dB功率波動(dòng)）和帶寬密度（32Tbps/矩陣）三個(gè)維度同時(shí)達到工業(yè)級應用標準。

該技術(shù)已形成從量子計算光路架構到沙漠基站部署的全場(chǎng)景覆蓋，其應用案例圖直觀(guān)呈現了微觀(guān)光學(xué)結構與宏觀(guān)工程實(shí)施的技術(shù)映射關(guān)系。

科毅光通信的技術(shù)護城河

科毅光通信構建了“技術(shù) - 產(chǎn)能 - 品質(zhì)”三位一體的護城河模型。在研發(fā)能力方面，公司擁有 3000 平米生產(chǎn)基地，配備 200 余臺進(jìn)口設備，年產(chǎn)能達 10 萬(wàn)只，采用 ISO9001 質(zhì)量管理體系，1000 級潔凈車(chē)間和自動(dòng)化組裝線(xiàn)保障生產(chǎn)精度。測試能力上，自建可靠性實(shí)驗室，數據可追溯至中國計量科學(xué)研究院，光開(kāi)關(guān)產(chǎn)品損耗控制參數按端口規模分級優(yōu)化，1 < n ≤ 32 時(shí)插入損耗典型值 0.6dB、最大值 1.0dB，回波損耗≥55dB。定制服務(wù)能力突出，支持 1×48 大通道定制，如為某航天項目定制 0.1dB PDL 光開(kāi)關(guān)，MEMS光開(kāi)關(guān)響應速度達 0.5ms，是傳統設備的 20 倍。

廣西科毅光通信無(wú)膠光路技術(shù)優(yōu)勢矩陣

核心技術(shù)優(yōu)勢：科毅光開(kāi)關(guān)的“光路無(wú)膠”專(zhuān)利技術(shù)實(shí)現插入損耗≤0.8dB 與回波損耗≥55dB 的平衡，MEMS光開(kāi)關(guān) 1×16 型號價(jià)格僅 500 元，遠低于國際競品，產(chǎn)品壽命達 10^10 次切換，遠超行業(yè)標準 。

從納米尺度到產(chǎn)業(yè)革命

以“技術(shù)成熟度曲線(xiàn)”為框架，無(wú)膠光路技術(shù)正處于從“創(chuàng )新萌芽期”向“產(chǎn)業(yè)成熟期”跨越的關(guān)鍵階段，其突破將聚焦三大方向：工藝極限方面，激光直寫(xiě)技術(shù)通過(guò)探索更短波長(cháng)激光源與先進(jìn)光學(xué)系統，目標實(shí)現0.05 μm亞納米級對準精度，推動(dòng)器件尺寸從現有15 mm×8 mm向5 mm×5 mm微型化演進(jìn)；材料創(chuàng )新領(lǐng)域，超材料應力自補償技術(shù)將低溫相位抖動(dòng)控制在<0.5 ps，氮化鋁、金剛石等新型材料的應用可同時(shí)提升損傷閾值與熱導性能，滿(mǎn)足極端環(huán)境需求；系統集成層面，與光子芯片的異質(zhì)集成將功耗降至0.1 W/端口以下，浙江大學(xué)基于范德華力的非易失MEMS光開(kāi)關(guān)已實(shí)現<1 pJ的開(kāi)關(guān)功耗與200 nm超大帶寬，為規?；嚵械於ɑA。

產(chǎn)業(yè)變革路徑：技術(shù)突破正驅動(dòng)光互聯(lián)基礎設施重構，廣西科毅計劃三年內實(shí)現硅基光開(kāi)關(guān)量產(chǎn)，并通過(guò)超材料與AI協(xié)同調度技術(shù)，在量子安全通信、智能光網(wǎng)絡(luò )等場(chǎng)景形成差異化競爭力。

選擇合適的光開(kāi)關(guān)是一項需要綜合考量技術(shù)、性能、成本和供應商實(shí)力的工作。希望本指南能為您提供清晰的思路。我們建議您在明確自身需求后，詳細對比關(guān)鍵參數，并優(yōu)先選擇像科毅光通信這樣技術(shù)扎實(shí)、質(zhì)量可靠、服務(wù)專(zhuān)業(yè)的合作伙伴。

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（注：本文部分內容可能由AI協(xié)助創(chuàng )作，僅供參考）